RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷和生长机制

人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (3): 219-223.

RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷和生长机制

胡小波;王继扬;魏景谦;崔伟红;刘宏;刘耀岗

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:1999-03-15 发布日期:2021-01-20

Growth Defects and Growth Mechanisms of RbTiOAsO4 Crystals

Hu Xiaobo;Wang Jiyang;Wei Jingqian;Cui Weihong;Liu Hong;Liu Yaogang

Online:1999-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用熔盐法生长了大尺寸RbTiOAsO4晶体.利用同步辐射形貌术和化学腐蚀法,研究了RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷.发现该晶体中的生长缺陷主要为生长位错和生长扇界,大部分位错沿[100]方向,Burgers矢量为[001].在扫描电镜下,对原生RbTiOAsO4晶体的表面形态进行了观察,根据其表面二次电子像的特征,对不同晶面的生长控制机制进行了讨论.

中图分类号:

O782.4
O772

胡小波;王继扬;魏景谦;崔伟红;刘宏;刘耀岗. RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷和生长机制[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(3): 219-223.

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