硅基片上C60薄膜的生长特性和结构特性研究

人工晶体学报 ›› 2000, Vol. 29 ›› Issue (2): 147-151.

硅基片上C60薄膜的生长特性和结构特性研究

刘波;王豪

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2000-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院资助项目(59682005)

Study on the Growth and the Structure Characteristics of C60 Film on Si Substrate

LIU Bo;WANG Hao

Online:2000-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用物理气相沉积(PVD)法在不同预处理的Si(100)衬底上沉积了C60膜,并利用AFM和XRD研究了其生长特征和结构特性.结果表明,C60膜的生长特性不仅与C60分子的移动性和衬底的表面性质等多种因素有关,而且还受衬底表面先前淀积的C60膜的有序性影响;H-Si(100)面上生长的C60膜与普通抛光Si(100)面上的相比更具有*2111*3取向.

中图分类号:

O484.1

刘波;王豪. 硅基片上C60薄膜的生长特性和结构特性研究[J]. 人工晶体学报, 2000, 29(2): 147-151.

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Study on the Growth and the Structure Characteristics of C60 Film on Si Substrate

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