GdCOB晶体的坩埚下降法生长

人工晶体学报 ›› 2000, Vol. 29 ›› Issue (4): 320-324.

GdCOB晶体的坩埚下降法生长

钟真武;罗军;范世(马山豆);钱国兴;林雅芳;孙仁英

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

出版日期:2000-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院资助项目(59902011)

Bridgman Growth of GdCOB Crystals

ZHONG Zhen-wu;LUO Jun;FAN Shi-ji;QIAN Guo-xing;LIN Ya-fang;SUN Ren-ying

Online:2000-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文报道了非线性光学晶体Ca4GdO(BO3)3(GdCOB)的垂直Bridgman法生长.已获得直径25mm的高质量单晶.生长界面处的纵向温度梯度维持在30～40℃/cm,生长速度0.2～0.8mm/h.GdCOB晶体为二维成核的层状生长机制,易出现(111)及(20)解理面.讨论了影响生长的因素.保证原料配比准确和混料充分,减小温度波动和测温误差等是成功生长GdCOB晶体的重要因素.

中图分类号:

O782

钟真武;罗军;范世(马山豆);钱国兴;林雅芳;孙仁英. GdCOB晶体的坩埚下降法生长[J]. 人工晶体学报, 2000, 29(4): 320-324.

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