高质量LiCaAlF6晶体生长条件的探索

人工晶体学报 ›› 2001, Vol. 30 ›› Issue (3): 284-288.

高质量LiCaAlF6晶体生长条件的探索

徐学珍;阮永丰;那木吉拉图

华北光电技术研究所,;天津大学理学院物理系,;天津大学理学院物理系;华北光电技术研究所

出版日期:2001-03-15 发布日期:2021-01-20

Exploration of Growth Conditions for High Quality LiCaAlF6 Crystals

Online:2001-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文报道了采用提拉法在不同加热系统中和不同生长气氛下进行的LiCaAlF6晶体生长的实验,以探索高质量晶体的生长条件,并讨论了在晶体生长过程中晶体内部和表面上的某些缺陷的形成原因.为了获得高质量的晶体,抑制原材料的氧化和挥发,实现生长过程的稳定控制,是晶体生长过程中不可忽视的三要素.在较小的温度梯度、较高真空度(2×10-2Pa)、敞开式保温体系、较高控温精度(±0.1℃)及充入保护气体CF4条件下,可生长高质量的LiCaAlF6晶体.

中图分类号:

O782.5

徐学珍;阮永丰;那木吉拉图. 高质量LiCaAlF6晶体生长条件的探索[J]. 人工晶体学报, 2001, 30(3): 284-288.

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