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人工晶体学报 ›› 2001, Vol. 30 ›› Issue (3): 318-324.

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三温区晶体生长炉热场设计探讨

梁秀梅;陈巨才   

  1. 西安理工大学,
  • 出版日期:2001-03-15 发布日期:2021-01-20

Discussion of Temperature Profile Design of Three Temperature Zone Furnace for Crystal Growth

  • Online:2001-03-15 Published:2021-01-20

摘要: 晶体生长炉是晶体生长的基础.根据三硼酸锂(LBO)、偏硼酸钡(β-BBO)等晶体生长的要求,我们设计制备了包含三温区的晶体生长炉.本文报道了关于该炉温场设计所考虑的基本问题和炉体材料的选择,给出了电气系统的基本框架及构件.实际测量表明:该炉控温精度在上温区为±0.135℃,中温区为±0.09℃,下温区为±0.136℃,高温区炉温均匀度为0.86℃,低温区炉温均匀度为-0.86℃.

关键词: 热场;三温区;控温精度;炉温均匀度;晶体炉

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