Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用

人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (4): 350-353.

Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用

王立民;刘振刚;董守义;于美燕;郝霄鹏;崔得良;徐现刚;王琪珑

山东大学微纳材料中心,济南,250100;山东大学化学与化工学院,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2002-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(90101016,29773026 和 60025409);山东省科技攻关项目;教育部高校骨干教师资助计划

Study on the Adsorption Property to N2 on the Surface of Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Nanocrystals

Online:2002-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异,对这些现象进行了解释;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征.结果表明:当Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时,其表面活性明显降低;含Ga的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶.这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键,对氮分子的吸附作用增强.

中图分类号:

O793

王立民;刘振刚;董守义;于美燕;郝霄鹏;崔得良;徐现刚;王琪珑. Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用[J]. 人工晶体学报, 2002, 31(4): 350-353.

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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用

Study on the Adsorption Property to N2 on the Surface of Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Nanocrystals

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