R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究

人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (5): 451-455.

R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究

李昱峰;陈振;韩培德;王占国

中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

出版日期:2002-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60086001);国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000683)

Luminescence Properties of Multi-layers InGaN Quantum Dots Grown on R and C Sapphire by a New Method

Online:2002-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石(0001)面(即C面)和蓝宝石(1102)面(即R面)上形成了InGaN量子点,并构成了该量子点的多层结构.原子力显微镜测试的结果表明单层InGaN量子点平均宽约40nm,高约15nm;而多层量子点上层的量子点则比单层的InGaN量子点大.R面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点和C面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点相比,其PL谱不仅强度高,而且没有多峰结构.这是由于在C面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN多层量子点沿生长方向[0001]存在较强的内建电场,而在R面蓝宝石衬底上得到的多层量子点沿着生长方向[1120]没有内建电场.InGaN量子点变温光致发光(PL)谱研究发现量子点相关的峰有快速红移现象,这是量子点系统所特有的PL谱特征.用在R面蓝宝石上生长的InGaN量子点作有源层有望避免内建电场的影响,得到高量子效率且发光波长稳定的发光器件.

中图分类号:

TN304

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