γ-LiAlO2晶体的生长缺陷研究

杨卫桥;干福熹;邓佩珍;徐军;李杼智;蒋成勇

摘要： γ-LiAlO2晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2晶体的缺陷.结果表明,提拉法生长的γ-LiAlO2晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界.并发现在其(100)晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异.

中图分类号:

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