In:Ce:Cu:LiNbO3晶体的生长及存储性能研究

人工晶体学报 ›› 2003, Vol. 32 ›› Issue (1): 16-19.

In:Ce:Cu:LiNbO3晶体的生长及存储性能研究

王军;徐悟生;王锐

哈尔滨工业大学光电子技术研究所,哈尔滨,150001

出版日期:2003-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(G19990330);国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA313040);黑龙江省自然科学基金(A01-03)

Growth and Storage Properties of In∶Ce∶Cu∶LiNbO3 Crystal

Online:2003-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在Ce∶Cu∶LiNbO3晶体中掺进In2O3,用CZ法首次生长In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体.对晶体的抗光折变能力、红外光谱、指数增益系数、衍射效率和响应时间进行了测试,结果表明:In(3mol;)∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体的抗光折变能力比Ce∶Cu∶LiNbO3提高两个数量级,其OH-吸收峰由LiNbO3的3484 cm-1移到3508 cm-1,响应速度比Ce∶Cu∶LiNbO3晶体快三倍.对In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体抗光折变能力提高的机理、红外光谱OH-吸收峰紫移的机理进行了研究.

中图分类号:

O782

王军;徐悟生;王锐. In:Ce:Cu:LiNbO3晶体的生长及存储性能研究[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(1): 16-19.

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Growth and Storage Properties of In∶Ce∶Cu∶LiNbO3 Crystal

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