欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 分享到:

人工晶体学报 ›› 2003, Vol. 32 ›› Issue (5): 491-494.

• • 上一篇    下一篇

温梯法白宝石晶体的缺陷研究

李抒智;周圣明;司继良;周国清;董永军;徐军   

  1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
  • 出版日期:2003-10-15 发布日期:2021-01-20

Defect Study of Sapphire Crystal Grown by Temperature Gradient Technique

  • Online:2003-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用导向温梯法(TGT)生长出[0001]方向直径为76mm的白宝石晶体.利用扫描电子显微镜(SEM)观察晶体(0001)面的腐蚀坑形态,并对晶体内部的包裹物进行了能谱(EDS)分析.白宝石晶体中的生长缺陷主要为位错和包裹体等.Al2O3晶体(0001)面的位错腐蚀坑呈六角形,并且有台阶状结构.分析了(0001)面内的位错类型.确定了TGT法生长的白宝石内部的包裹物的主要成分为碳.

关键词: 白宝石;温梯法;位错;化学腐蚀;包裹物

中图分类号: