多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (1): 96-99.

多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

王浩;Joachim F.Woitok;廖常俊;范广涵;刘颂豪;郑树文;李述体;郭志友;孙慧卿;陈贵楚;陈炼辉;吴文光;李华兵

华南师范大学信息光电子学院,广州,510631;Application Laboratory Panalytical B.V.,Lelyweg,Almelo,7600AA,Netherlands

出版日期:2004-02-15 发布日期:2021-01-20

Analysis and Simulation of X-ray Double-crystal Diffraction about the GaAlInP Multiplayer Optoelectronic Structure

Online:2004-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析.应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果.对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量.涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测.并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量.

中图分类号:

TN304

王浩;Joachim F.Woitok;廖常俊;范广涵;刘颂豪;郑树文;李述体;郭志友;孙慧卿;陈贵楚;陈炼辉;吴文光;李华兵. 多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(1): 96-99.

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多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

Analysis and Simulation of X-ray Double-crystal Diffraction about the GaAlInP Multiplayer Optoelectronic Structure

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