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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (1): 105-108.
吕反修;高旭辉;郭会斌;陈广超;李成明;唐伟忠;佟玉梅;余怀之;程宏范;杨海
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RSS出版日期:2004-02-15
发布日期:2021-01-20
Online:2004-02-15
Published:2021-01-20
摘要： 本文采用真空电子束蒸镀技术在多谱段ZnS衬底上沉积了适合金刚石膜沉积的致密陶瓷过渡层,并利用微波等离子体CVD金刚石膜低温沉积技术进行了金刚石膜沉积研究.发现在陶瓷过渡层上的金刚石形核极其困难,其原因可能是陶瓷涂层在沉积过程中龟裂导致ZnS蒸汽扩散逸出干扰金刚石形核所致.本文采用诱导形核技术在过渡层/ZnS试样表面观察到极高密度(1010/cm2)的金刚石形核,并对金刚石/过渡层/ZnS试样的红外透过特性进行了评价.
中图分类号:
吕反修;高旭辉;郭会斌;陈广超;李成明;唐伟忠;佟玉梅;余怀之;程宏范;杨海. 在预涂陶瓷过渡层的多谱段ZnS衬底上沉积金刚石膜的探索研究[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(1): 105-108.
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