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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (2): 137-140.

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垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体

谷智;李国强;张龙;介万奇   

  1. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072
  • 出版日期:2004-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50336040);国家自然科学基金(59825109)

Vertical Bridgman Growth of Hg1-xMnxTe with Variational Withdrawal Rate

  • Online:2004-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证.与传统垂直Bridgman法的对比实验结果表明,该方法可以在提高轴向组分均匀性的前提下增大抽拉速度,进而提高晶体生长速度.

关键词: HgMnTe;垂直Bridgman法;变速生长;固液界面迁移;组分均匀性

中图分类号: