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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (2): 180-183.
高德友;赵北君;朱世富;王瑞林;魏昭荣;李含冬;韦永林;唐世红
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RSS出版日期:2004-04-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:
Online:2004-04-15
Published:2021-01-20
摘要： 本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察.结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级.这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体.
中图分类号:
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