CVD法生长ZnSe的工艺分析

人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (2): 235-237.

CVD法生长ZnSe的工艺分析

王向阳;方珍意;蔡以超;张力强;肖红涛

中非人工晶体研究院,北京,100018

出版日期:2004-04-15 发布日期:2021-01-20

Technical Analysis of CVD ZnSe Growth by Se Method

Online:2004-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用单质Se为原料(Zn-Se-H2-Ar体系)来生长CVD ZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响.这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量.对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的ZnSe生长形态,生长出了质量良好的ZnSe多晶体,透过率超过70;.

中图分类号:

O782.9

王向阳;方珍意;蔡以超;张力强;肖红涛. CVD法生长ZnSe的工艺分析[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(2): 235-237.

[1]	刘军芳;周国清;何晓明;徐军. β-BBO薄膜的液相外延生长[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(5): 722-725.
[2]	杨曜源;蔡以超;东艳苹;张力强;王向阳;肖红涛;田鸿昌;李卫;郝永亮;方珍意. 工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(2): 238-240.
[3]	杨曜源;李卫;张力强;蔡以超;王向阳;肖红涛;田鸿昌;东艳萍;方珍意;郝永亮. ZnS晶体的化学气相沉积生长[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(1): 92-95.
[4]	吴春霞;吕有明;李炳辉;赵东旭;刘益春;申德振;张吉英;范希武. MgZnO/ZnO异质结构的发光性质研究[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(6): 550-554.
[5]	梁红伟;吕有明;申德振;颜建锋;刘益春;李炳辉;赵东旭;张吉英;范希武. 等离子体增强分子束外延生长ZnO薄膜及光电特性的研究[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(6): 579-584.
[6]	王海丽;徐军;赵广军. 液相外延法制备LiNbO3薄膜的研究和进展[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(3): 196-203.
[7]	刘振刚;于美燕;白玉俊;郝霄鹏;王琪珑;于乃森;崔得良. 合成GaP纳米晶过程的关键影响因素[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(3): 224-227.
[8]	陈权;恽寿榕. 炸药爆轰合成纳米金刚石及其应用[J]. 人工晶体学报, 2000, 29(1): 90-93.
[9]	逯乐慧;王丽颖;曹立新;崔海宁;席时权. LB膜模板诱导晶体取向生长[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(3): 303-.

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Technical Analysis of CVD ZnSe Growth by Se Method

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