气相生长氮化铝单晶的新方法

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 1-4.

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气相生长氮化铝单晶的新方法

武红磊;郑瑞生;孙秀明;罗飞;杨帆;刘文;敬守勇

深圳大学光电子学研究所,深圳,518060

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60376003;60576005);广东省自然科学基金(04011297);教育部科学技术基金([2005]3号);广东省深圳市科技计划(200517)

A Novel Method for Growing AlN Single Crystal by Physical Vapor Transport

WU Hong-lei;ZHENG Rui-sheng;SUN Xiu-ming;LUO Fei;YANG Fan;LIU Wen;JING Shou-yong

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过在钨坩埚盖开小孔的方法改变氮化铝结晶衬底上的温度场分布,在开孔处形成局部低温区;由于孔的几何尺寸的限制和氮化铝晶体生长的各向异性,开孔处的氮化铝晶体单晶化;随后,开孔处的单晶起籽晶的作用,逐渐长成较大尺寸、较高质量的氮化铝单晶.目前用该方法已经制备出直径大于2mm的氮化铝单晶体.

中图分类号:

O782

武红磊;郑瑞生;孙秀明;罗飞;杨帆;刘文;敬守勇. 气相生长氮化铝单晶的新方法[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 1-4.

WU Hong-lei;ZHENG Rui-sheng;SUN Xiu-ming;LUO Fei;YANG Fan;LIU Wen;JING Shou-yong. A Novel Method for Growing AlN Single Crystal by Physical Vapor Transport[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(1): 1-4.

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