硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 123-128.

硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响

汪昌州;杨仕娥;陈永生;杨根;郜小勇;卢景霄

郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河南省科技攻关项目(0424210016)

Influence of Boron Doping on Microstructure and Optoelectronic Properties of μc-Si: H Film

WANG Chang-zhou;YANG Shi-e;CHEN Yong-sheng;YANG Gen;GAO Xiao-yong;LU Jing-xiao

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响.拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1;增加到0.75;时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5;时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小.

中图分类号:

O484
TN304

汪昌州;杨仕娥;陈永生;杨根;郜小勇;卢景霄. 硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 123-128.

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