脉冲激光沉积法在SiO2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO3薄膜

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 134-137.

脉冲激光沉积法在SiO2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO3薄膜

王新昌;叶志镇;曹亮亮;赵炳辉

郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金重大研究规划项目(90101009)

C-axis Oriented LiTaO3 Thin Film Prepared on SiO2/Si Substrate by Pulsed Laser Deposition

WANG Xin-chang;YE Zhi-zhen;CAO Liang-liang;ZHAO Bing-hui

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜.采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm.

中图分类号:

O484

王新昌;叶志镇;曹亮亮;赵炳辉. 脉冲激光沉积法在SiO2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO3薄膜[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 134-137.

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