VB法生长低位错GaAs单晶

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 200-204.

VB法生长低位错GaAs单晶

王建利;孙强;牛沈军;兰天平;李仕福;周传新;刘津

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20

Low Etch-pit-density GaAs Crystal Grown by Vertical Bridgman Method

WANG Jian-li;SUN Qiang;NIU Shen-jun;LAN Tian-ping;LI Shi-fu;ZHOU Chuan-xin;LIU Jin

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度(EPD).为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶.我们采用垂直布里奇曼(VB)法分别得到了2英寸和3英寸的GaAs单晶,单晶长度可达10cm,平均位错密度5000cm-2.通过改变加热器结构,改善轴向和径向的温度梯度,优化了生长时的固液界面,得到的单晶长度达20cm,平均位错密度为500cm-2,最大位错密度小于5000cm-2.

中图分类号:

O614

王建利;孙强;牛沈军;兰天平;李仕福;周传新;刘津. VB法生长低位错GaAs单晶[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 200-204.

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