脉冲退火法制备多晶硅薄膜的研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (2): 285-288.

脉冲退火法制备多晶硅薄膜的研究

张松青;张丽伟;赵新蕖;卢景霄

河南机电高等专科学校,新乡,453002;新乡学院,新乡,453000;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

出版日期:2008-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河南省自然科学基金(2008C140001)

Investigation on Poly-Si Thin Film Fabricated by PRTP

ZHANG Song-qing;ZHANG Li-wei;ZHAO Xin-qu;LU Jing-xiao

Online:2008-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)法在普通玻璃衬底上低温制备了μc-Si:H薄膜.采用快速光热退火炉(RTP),分别用低温(＜650℃)和中温(＜750℃)脉冲法(PRTP)对薄膜进行了退火处理.用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同条件下退火薄膜散射谱的特征和表面形貌.结果显示,脉冲退火法晶化的薄膜,晶化率达到了53;,部分颗粒团簇的尺寸已达到200nm左右.用声子限域理论和表面尺寸效应对薄膜频谱的"红移"和"蓝移"现象进行了分析.

中图分类号:

TN3104

张松青;张丽伟;赵新蕖;卢景霄. 脉冲退火法制备多晶硅薄膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(2): 285-288.

ZHANG Song-qing;ZHANG Li-wei;ZHAO Xin-qu;LU Jing-xiao. Investigation on Poly-Si Thin Film Fabricated by PRTP[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(2): 285-288.