MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (2): 356-359.

MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响

蒋红霞;周桃生;彭绯;尚勋忠;余祖高

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出版日期:2008-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
湖北省科技攻关项目(2004AA101C70);湖北省教育厅科研项目(2004D009)

Effect of Excess MgO on Properties of Quaternary System PMMN Piezoelectric Ceramics

JIANG Hong-xia;ZHOU Tao-sheng;PENG Fei;SHANG Xun-zhong;YU Zu-gao

Online:2008-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响.实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降低陶瓷的烧结温度,改善材料的压电介电性能.当MsO掺杂量为0.25;质量分数,1130℃烧结的样品性能参数为:d33=310 pC/N,Qm=1008,kp=0.61,tan δ=0.34;,ε33T/ε0=1494,是一种中温烧结功率型压电陶瓷材料,适用于多层压电变压器,超声马达等器件.

中图分类号:

TM282

蒋红霞;周桃生;彭绯;尚勋忠;余祖高. MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(2): 356-359.

JIANG Hong-xia;ZHOU Tao-sheng;PENG Fei;SHANG Xun-zhong;YU Zu-gao. Effect of Excess MgO on Properties of Quaternary System PMMN Piezoelectric Ceramics[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(2): 356-359.

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