LaNiO3缓冲层对化学溶液法制备的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3薄膜的结构与电学性能的影响

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (2): 422-426.

LaNiO3缓冲层对化学溶液法制备的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3薄膜的结构与电学性能的影响

刘爱云

上海师范大学物理系,上海,200234

出版日期:2008-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
上海市教委资助项目(07zz70);上海市高校优秀青年教师后备人选科研项目(RE658)

Effect of LaNiO2 Buffer Layer on the Structure and Electrical Properties of Pb ( Mg1/3Nb2/3 ) O3-PbTiO3 Thin Films Deposited by Chemical Solution Method

LIU Ai-yun

Online:2008-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用化学溶液法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了92;Pb(Mg1/3/Nb2/3)O3-8;PbTiO3(PMNT)薄膜,对于在衬底上引入缓冲层LaNiO3(LNO)和没有引入缓冲层LNO所制备的PMNT薄膜结构及电学性能进行了比较和研究.x射线衍射测试结果表明:直接在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上所制备的PMNT薄膜含有大量的烧绿石相,且薄膜呈现高度的(111)择优取向;而当在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上引入LNO缓冲层后,所制备的PMNT薄膜是纯钙钛矿相,且薄膜呈现(100)择优取向.通过铁电和介电性能测试表明:当在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上引入缓冲层LNO后,所制备的PMNT薄膜的剩余极化和介电常数也都得到了较大提高.

中图分类号:

O484

刘爱云. LaNiO3缓冲层对化学溶液法制备的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3薄膜的结构与电学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(2): 422-426.

LIU Ai-yun. Effect of LaNiO2 Buffer Layer on the Structure and Electrical Properties of Pb ( Mg1/3Nb2/3 ) O3-PbTiO3 Thin Films Deposited by Chemical Solution Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(2): 422-426.

[1]	许万里, 甘云海, 李悦文, 李彬, 郑有炓, 张荣, 修向前. 高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 11-16.
[2]	马超, 熊春艳, 徐源来, 赵培. 沉积温度对MOCVD法制备固体氧化物燃料电池GDC阻挡层性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2197-2204.
[3]	杨涛, 陈彩明, 黄瑜佳, 吴少平, 徐华蕊, 汪坤喆, 朱归胜. ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1150-1159.
[4]	徐玉琦, 李晴雯, 钟敏. 化学气相沉积制备高c轴取向的BiOI薄膜[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 841-847.
[5]	初学峰, 黄林茂, 张祺, 谢意含, 胡小军. 铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 848-854.
[6]	张庆文, 单东明, 张虎, 丁然. 溶液空间限域法制备有机-无机杂化卤化铅钙钛矿单晶薄膜及其器件应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(4): 572-584.
[7]	郭钰, 刘春俊, 张新河, 沈鹏远, 张博, 娄艳芳, 彭同华, 杨建. 碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 210-217.
[8]	彭倩文, 吉祥. 退火温度对BCZT外延薄膜电学性能的影响及其导电机制分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(1): 82-89.
[9]	詹廷吾, 贾伟, 董海亮, 李天保, 贾志刚, 许并社. 多孔GaN薄膜的制备与光学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1599-1608.
[10]	南博洋, 洪瑞金, 陶春先, 王琦, 林辉, 韩朝霞, 张大伟. 基于金属锡掺杂浓度变化的光学性能可调谐ITO薄膜制备研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1617-1623.
[11]	陈根强, 赵浠翔, 于众成, 李政, 魏强, 林芳, 王宏兴. 异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 931-944.
[12]	宋长坤, 黄晓莹, 陈英鑫, 喻颖, 余思远. 半导体单量子点的分子束外延生长及调控[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 982-996.
[13]	汪正鹏, 张崇德, 孙新雨, 胡天澄, 崔梅, 张贻俊, 巩贺贺, 任芳芳, 顾书林, 张荣, 叶建东. 切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1007-1015.
[14]	李秉欣, 丁元丰, 芦红. 单晶α-Sn薄膜的外延生长及输运性质研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1025-1035.
[15]	林泽丰, 孙伟轩, 刘天想, 涂思佳, 倪壮, 柏欣博, 赵展艺, 张济全, 陈赋聪, 胡卫, 冯中沛, 袁洁, 金魁. 脉冲激光沉积技术制备超导薄膜的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1036-1051.