纳米SiO2浆料中半导体硅片的电化学腐蚀研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (2): 435-440.

纳米SiO2浆料中半导体硅片的电化学腐蚀研究

宋晓岚;刘宏燕;杨海平;岳汉威;邱冠周

中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系,长沙,410083

出版日期:2008-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
科技部国际科技合作项目(2005DFBA028);中南大学校科研和教改项目(LB06103)

Electrochemical Corrosion of Silicon Wafers in Silica Slurry

SONG Xiao-lan;LIU Hong-yan;YANG Hai-ping;YUE Han-wei;QIU Guan-zhou

Online:2008-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能.结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为.随pH值增加、温度提高和磨粒固含量降低,其腐蚀电流增大,交流阻抗减小,硅片腐蚀较易进行;微量金属杂质离子的存在也会加速硅片的腐蚀.

中图分类号:

TN304

宋晓岚;刘宏燕;杨海平;岳汉威;邱冠周. 纳米SiO2浆料中半导体硅片的电化学腐蚀研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(2): 435-440.

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