溴化钾晶体电注入着色临界温度及机理

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (3): 583-586.

溴化钾晶体电注入着色临界温度及机理

宋翠英;顾洪恩

天津商业大学理学院,天津,300134;天津大学应用物理系,天津,300072

出版日期:2008-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(69178028;69918016)

Critical Temperature and Mechanism of Electrolytic Coloration of Potassium Bromide Crystal

SONG Cui-ying;GU Hong-en

Online:2008-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用自行研制的电注入装置,对溴化钾晶体进行电注入并使之有效着色.由基本理论可以得出溴化钾晶体电注入着色临界温度理论值为598 K,并依此拟定和实施具体实验方案.通过实验进行得到电注入着色临界温度实验值为603 K.达到临界温度后,溴化钾晶体被着色,产生F色心.研究结果表明,临界温度理论值与实验值符合得很好.借助测得的电流～时间关系图,对经此种电注入着色晶体中色心形成提出机理解释.

中图分类号:

宋翠英;顾洪恩. 溴化钾晶体电注入着色临界温度及机理[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(3): 583-586.

SONG Cui-ying;GU Hong-en. Critical Temperature and Mechanism of Electrolytic Coloration of Potassium Bromide Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(3): 583-586.

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Critical Temperature and Mechanism of Electrolytic Coloration of Potassium Bromide Crystal

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