人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (1): 48-52.
仇满德;田帅;韦志仁;董国义
出版日期:
2009-02-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
QIU Man-de;TIAN Shuai;WEI Zhi-ren;DONG Guo-yi
Online:
2009-02-15
Published:
2021-01-20
摘要: 采用水热法,KOH作矿化剂,在ZnO前驱物中添加适量的CoCl2·6H2O,FeCl2·4 H2O,NiCl2·6H2O,In2O3,其中Co:In:Zn,Fe:In:Zn,Ni:In:Zn 分别为5:1:100,5:1:100,3:1:100.3 mol/L KOH作矿化剂,温度430 ℃,填充度35;,反应24 h,制备了In和过渡族金属离子共掺的ZnO晶体.结果表明,掺杂In2O3时,所合成的过渡族金属离子掺杂的ZnO晶体均呈现六角片状晶体,晶体形貌规则,表面光滑,直径为5~10 μm.和未掺杂In的晶体相比,掺杂In后,晶体c轴极性生长速度得到明显的控制,a、b轴方向生长速度提高,大面积显露+c{0001}、负极面-c{0001}面,另外还显露正锥面+p{1011}、负锥面-p{101-1-}.
中图分类号:
仇满德;田帅;韦志仁;董国义. In和过渡金属离子共掺杂对ZnO晶体形貌的影响[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(1): 48-52.
QIU Man-de;TIAN Shuai;WEI Zhi-ren;DONG Guo-yi. Effect of In and TM Codoping on the Morphology of ZnO Crystals[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009, 38(1): 48-52.
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