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人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (1): 210-214.

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水热法ZnO单晶的缺陷和光学特性研究

孙晓慧;许毅;杭寅   

  1. 上海工程技术大学基础教学学院,上海,201620;上海交通大学电子信息与电气工程学院,上海,200240;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
  • 出版日期:2009-02-15 发布日期:2021-01-20

Study on Defects and Optical Properties of ZnO Single Crystals Grown by Hydrothermal Method

SUN Xiao-hui;XU Yi;HANG Yin   

  • Online:2009-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 运用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)分析了比较了水热法ZnO晶体+c及-c部分的杂质,用四探针法比较了两部分的电阻率.结果表明, 晶体+c部分杂质含量少于-c部分,且前者电阻率明显高于后者.比较了Xe灯激发下两部分的光学性质,用氧气和氢气分别对+c部分ZnO进行处理,并进一步用He-Cd激光器对晶体的光学性能进行了研究,分析表明ZnO晶体416 nm左右的蓝光发射来自导带到锌空位(VZn)浅受主能级的跃迁,490 nm的蓝绿光发射与锌填隙(Zni)有关,540 nm附近的黄绿光发射与氧填隙(Oi)形成的能级有关.

关键词: ZnO;晶体缺陷;水热法;光致发光

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