人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (1): 271-275.
沈涛;刘俊成;翟慎秋;张国栋
出版日期:
2009-02-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
SHEN Tao;LIU Jun-cheng;ZHAI Shen-qiu;ZHANG Guo-dong
Online:
2009-02-15
Published:
2021-01-20
摘要: 运用正交设计,对CdZnTe晶体生长用高纯石英坩埚内壁镀膜过程中的镀膜温度、镀膜时间、气体流量、冷却时间四个因素进行了研究和优化.用金相显微镜,扫描电镜观察分析了不同镀膜工艺条件下得到的碳膜表面形貌,用WS-2005自动划痕仪对碳膜与石英管壁之间的结合力进行了测试.实验结果表明,镀膜温度对碳膜质量影响最为显著,其次是镀膜时间,再次为冷却时间,而气体流量对碳膜质量的影响甚小.镀膜工艺的优化参数:镀膜温度为1010 ℃,气体流量为6 L/h,镀膜时间为4 h,冷却时间为18 h.该工艺参数得到的碳膜较为均匀,且与石英管壁结合强度高.
中图分类号:
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