往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片特性研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (2): 372-377.

往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片特性研究

高玉飞;葛培琪;李绍杰

山东大学机械工程学院,济南,250061

出版日期:2009-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50475132)

Study on the Machining Performance of Single Crystal Silicon Wafer Cut by Using Reciprocating Electroplated Diamond Wire Saw

GAO Yu-fei;GE Pei-qi;LI Shao-jie

Online:2009-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片实验,分析了切片表面的微观形貌特点,研究了锯丝速度与进给速度对硅片的表面粗糙度、总厚度偏差(TTV)、翘曲度与亚表面损伤层厚度(SSD)的影响规律.结果表明:线锯锯切时材料以脆性模式去除,锯切表面的微观形貌呈现部分沟槽与断续划痕,并存在大量凹坑;锯丝速度增大,进给速度减小,表面粗糙度与SSD减小;锯丝速度增大,进给速度增大,硅片的翘曲度也随之增大;硅片TTV值与锯丝速度和进给速度的匹配关系相关.

中图分类号:

TG58

高玉飞;葛培琪;李绍杰. 往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片特性研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(2): 372-377.

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