异质衬底上HVPE法生长GaN厚膜的研究进展

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (2): 501-505.

异质衬底上HVPE法生长GaN厚膜的研究进展

贾婷婷;林辉;滕浩;侯肖瑞;王军;周圣明

中国科学院强激光材料科学与技术重点实验室,中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2009-04-15 发布日期:2021-01-20

Research Progress in the Growth of GaN Thick Films on Heterogeneity Substrates by HVPE

JIA Ting-ting;LIN Hui;TENG Hao;HOU Xiao-rui;WANG Jun;ZHOU Sheng-ming

Online:2009-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 氮化镓基(GaN)光电器件的快速发展,对GaN的质量提出更高的要求,同质外延可以避免由于失配引起的缺陷,厚膜生长是解决GaN体材料生长困难的有效手段.氢化物气相外延(HVPE)是目前最普遍的制备氮化镓厚膜的方法.衬底对于GaN厚膜的影响不可忽视,本文总结了在蓝宝石、碳化硅和铝酸锂衬底上制备GaN厚膜的研究进展,讨论了今后的研究方向.

中图分类号:

O484

贾婷婷;林辉;滕浩;侯肖瑞;王军;周圣明. 异质衬底上HVPE法生长GaN厚膜的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(2): 501-505.

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