衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (4): 831-835.

衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响

张丽平;张建军;张鑫;孙建;赵颖

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

出版日期:2009-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划项目(2009AA05Z422);天津市应用基础及前沿技术研究计划项目(08JCZDJC 22200);科技部基础研究973项目(2006CB202602,2006CB202603)

Influence of Substrate Temperature on the Growth of μc-SiGe Thin Film

ZHANG Li-ping;ZHANG Jian-jun;ZHANG Xin;SUN Jian;ZHAO Ying

Online:2009-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜.研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响.结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题.利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释.

中图分类号:

O484

张丽平;张建军;张鑫;孙建;赵颖. 衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(4): 831-835.

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