沉积温度对电沉积PbS薄膜结构和性能的影响

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (4): 847-850.

沉积温度对电沉积PbS薄膜结构和性能的影响

韩文;曹丽云;黄剑锋;王吉富

陕西科技大学化学与化工学院,西安,710021;陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021;陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021;西安通讯学院,西安,710106

出版日期:2009-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部新世纪优秀人才支持计划项目(NCET-06-0893)

Influence of Deposition Temperature on the Structure and Properties of PbS Thin Films Prepared by Electrodeposition

HAN Wen;CAO Li-yun;HUANG Jian-feng;WANG Ji-fu

Online:2009-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用电沉积法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)对薄膜的结构和光学性能进行了表征,研究了沉积温度对薄膜的相组成、显微形貌以及光学性质的影响.结果表明:在U=3 V,pH=2.5,T=60 ℃,沉积时间为20 min,加入EDTA作络合剂的情况下,可制备出沿(111)和(200)晶面取向生长的立方相PbS薄膜.薄膜显微结构均匀而致密,随着反应温度从20 ℃增加到60 ℃,薄膜内的压应力逐渐减小,禁带宽度也随着变小.所制备的微晶PbS薄膜的禁带宽度约为0.39 eV.

中图分类号:

TN213

韩文;曹丽云;黄剑锋;王吉富. 沉积温度对电沉积PbS薄膜结构和性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(4): 847-850.

HAN Wen;CAO Li-yun;HUANG Jian-feng;WANG Ji-fu. Influence of Deposition Temperature on the Structure and Properties of PbS Thin Films Prepared by Electrodeposition[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(4): 847-850.

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