Sm掺杂Bi4Ti3O12陶瓷晶体结构及电性能的研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (4): 866-869.

Sm掺杂Bi4Ti3O12陶瓷晶体结构及电性能的研究

王瑾菲;蒲永平;杨公安;庄永勇;杨文虎;毛玉琴

陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021;陕西科技大学材料科学与工程学院,西安,710021;陕西科技大学材料科学与工程学院,西安,710021;陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021

出版日期:2009-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部科学技术研究重点项目(209126);陕西省教育厅专项科研基金(08KJ222);国家自然科学基金(50607013);陕西科技大学研究生创新基金

Investigation on Crystal Structure and Electrical Properties of Sm-doped Bi4Ti3O12 Ceramics

WANG Jin-fei;PU Yong-ping;YANG Gong-an;ZHUANG Yong-yong;YANG Wen-hu;MAO Yu-qin

Online:2009-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用固相反应工艺制备了Sm3+掺杂层状结构无铅Bi4-xSmxTi3O12(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25)介电陶瓷.利用XRD、SEM等测试方法研究了Sm掺杂量、烧结温度和保温时间对Bi4-xSmxTi3O12 (BST) 陶瓷晶体结构及电性能的影响.结果表明:所制备的Bi4-xSmxTi3O12陶瓷均具有单一正交相结构,BST陶瓷表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构.样品的铁电性能测试表明,Sm3+施主掺杂明显降低了BIT的电导率,随着Sm3+含量的增加,Sm3+逐渐有部分取代B位,由于Sm3+取代Ti4+大大降低了氧空位的浓度,使得氧空位对电畴的钉扎作用减弱,并且材料的剩余极化Pr也相应提高.

中图分类号:

TQ174

王瑾菲;蒲永平;杨公安;庄永勇;杨文虎;毛玉琴. Sm掺杂Bi4Ti3O12陶瓷晶体结构及电性能的研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(4): 866-869.

WANG Jin-fei;PU Yong-ping;YANG Gong-an;ZHUANG Yong-yong;YANG Wen-hu;MAO Yu-qin. Investigation on Crystal Structure and Electrical Properties of Sm-doped Bi4Ti3O12 Ceramics[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(4): 866-869.

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