ZnO压电薄膜的制备与性能表征

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (4): 880-883.

ZnO压电薄膜的制备与性能表征

许恒星;王金良;唐宁;彭洪勇;范超

北京航空航天大学物理科学与核能工程学院,北京,100191

出版日期:2009-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(10432050,50772006)

Preparation and Charaterization of ZnO Piezoeletric Film

XU Heng-xing;WANG Jin-liang;TANG Ning;PENG Hong-yong;FAN Chao

Online:2009-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射法在硅(100)衬底上制备高质量的ZnO压电薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、压电响应力显微镜(PFM)等仪器研究了薄膜成分,表面形貌和压电性质.结果表明:实验制备的ZnO薄膜具有很好的压电性质,c轴取向和表面粗糙度对薄膜压电特性有很大影响,高度c轴取向生长和表面粗糙度较小的ZnO薄膜表现出更好的压电性质.

中图分类号:

O484

许恒星;王金良;唐宁;彭洪勇;范超. ZnO压电薄膜的制备与性能表征[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(4): 880-883.

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