电沉积法制备Bi2S3薄膜研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (4): 916-919.

电沉积法制备Bi2S3薄膜研究

王艳;黄剑锋;曹丽云;曾燮榕;熊信柏;吴建鹏

陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021;陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021;深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060;深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060

出版日期:2009-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部"新世纪优秀人才支持计划"项目(NCET-06-0893);深圳市特种功能材料重点实验室基金(0701);陕西科技大学研究生创新基金

Preparation of Bi2S3 Thin Films by Electrodeposition Method

WANG Yan;HUANG Jian-feng;CAO Li-yun;ZENG Xie-rong;XIONG Xin-bo;WU Jian-peng

Online:2009-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了Bi2S3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对制备的薄膜进行了表征.研究了pH值、沉积时间、沉积液浓度等工艺因素对薄膜的影响.结果表明:电沉积制备Bi2S3薄膜的过程中,合适的Bi3+与S2O32-的浓度水平是至关重要的;在电沉积溶液pH=6.5,沉积时间为20 min,沉积电压为1 V,加入柠檬酸三钠作络合剂的情况下,得到沿(240)晶面生长良好的Bi2S3薄膜,薄膜组成均匀致密;增加沉积溶液pH值,薄膜的结晶程度逐渐提高,红外透过比提高.

中图分类号:

TQ135.32

王艳;黄剑锋;曹丽云;曾燮榕;熊信柏;吴建鹏. 电沉积法制备Bi2S3薄膜研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(4): 916-919.

WANG Yan;HUANG Jian-feng;CAO Li-yun;ZENG Xie-rong;XIONG Xin-bo;WU Jian-peng. Preparation of Bi2S3 Thin Films by Electrodeposition Method[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(4): 916-919.