摘要： 采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备三重进口行星式MOCVD (金属有机物化学气相沉积) 反应室中的输运过程进行了二维数值模拟.从浓度场的角度分析反应器内衬底上方NH3和TMGa的浓度影响因素.根据对模拟结果的分析,发现较均匀的流场对应衬底上方的反应物浓度较高,降低反应器内压强,也可获得衬底上方较高的反应物浓度,由于MOCVD反应器内有较大的温差,因此热扩散效应不能忽视.
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张红;左然. 径向三重流MOCVD反应器生长GaN的数值模拟[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(4): 938-942.
ZHANG Hong;ZUO Ran. Numerical Modelling of GaN Growth in Radial Flow MOCVD Reactor with Three-separate Vertical Inlets[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(4): 938-942.
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