p型Cu2O 半导体薄膜的电化学沉积研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (4): 952-956.

p型Cu2O 半导体薄膜的电化学沉积研究

胡飞;江毅;梁建

景德镇陶瓷学院,景德镇,333001

出版日期:2009-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
景德镇陶瓷学院博士启动经费项目;景德镇市科技局项目;江西省教育厅项目(GJJ09531)

Research on Electrochemical Deposition of p-type Cu2O Thin Films

HU Fei;JIANG Yi;LIANG Jian

Online:2009-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以透明导电玻璃(ITO)和铜片为工作电极,用简单铜盐通过阴极还原制备了Cu2O 薄膜.采用X射线衍射(XRD) 和扫描电镜(SEM)研究了反应温度、pH值和电流密度对Cu2O 薄膜的微观结构和表面形貌的影响,并对薄膜的生长机理进行了讨论.结果表明:溶液的温度对Cu2O晶体的微观结构无显著影响,而溶液的pH值对Cu2O 的生长取向影响明显.在双电极的作用下,电沉积Cu2O薄膜的工作电流可以达到6 mA·cm-2,远远高于文献报导在三电极体系下低于1 mA·cm-2的工作电流密度.

中图分类号:

TN215

胡飞;江毅;梁建. p型Cu2O 半导体薄膜的电化学沉积研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(4): 952-956.

HU Fei;JIANG Yi;LIANG Jian. Research on Electrochemical Deposition of p-type Cu2O Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009, 38(4): 952-956.

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