硼含量对含硼金刚石单晶电学性能的影响

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 295-298.

硼含量对含硼金刚石单晶电学性能的影响

张娜;李木森;张元培;田斌

山东大学材料液固结构演变与加工教育部重点实验室,济南,250061;山东省超硬材料工程技术研究中心,邹城,273500

出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50772060);山东省自然科学基金(Y2007F12)

Influence of Boron Concentration on Electrical Properties of Boron-doped Diamond Single Crystals

ZHANG Na;LI Mu-sen;ZHANG Yuan-pei;Tian Bin

Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用碳化硼添加量不同的铁基触媒,在高温高压下合成含硼金刚石单晶.用数字电桥和自制的电阻测量夹具测量了含硼金刚石单晶的电阻;用阴极射线发光光谱测量了金刚石单晶的光子频数;用XRD检测了不同硼含量掺杂的金刚石单晶的晶体结构.结果表明:随着触媒中碳化硼添加量的增加,含硼金刚石单晶的电阻率降低,可呈现半导体电阻特性.其原因是硼元素的掺入促进了金刚石单晶的(111)晶面生长,使受主能级提高,晶体的带隙变窄,载流子浓度提高.

中图分类号:

TQ164

张娜;李木森;张元培;田斌. 硼含量对含硼金刚石单晶电学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 295-298.

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