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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 304-307.

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磷锗锌单晶体的腐蚀研究

张羽;赵北君;朱世富;陈宝军;何知宇;孙永强;程江;梁栋程   

  1. 四川大学材料科学系,成都,610064
  • 出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50672061;50732005);国家高技术研究发展计划(863计划)(2007AA03Z443)

Study on Etching of ZnGeP2 Single Crystals

ZHANG Yu;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;CHEN Bao-jun;HE Zhi-yu;SUN Yong-qiang;CHENG Jiang;LIANG Dong-cheng   

  • Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 报道了一种新的ZnGeP2晶体择优腐蚀剂及其腐蚀工艺,即先采用研磨、物理机械抛光和HCl+HNO3热化学抛光获得表面平整无划痕的ZnGeP2晶片,然后将晶片在室温下采用HF(40;):HNO3(65;):CH3COOH(99.5;):H2O:I2=2 mL:2 mL:1 mL:1 mL:4 mg腐蚀剂超声振荡腐蚀8 min;在扫描电镜下观察到ZGP(110)和(204)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌清晰,具有立体感,(110)晶面蚀坑呈四边形,(204)晶面蚀坑呈五边形,取向一致,蚀坑密度(EPD)约为104/cm2.从理论上对蚀坑形貌的形成机理进行了分析.

关键词: ZnGeP2晶体;化学腐蚀;蚀坑形貌

中图分类号: