SiC单晶片的取向研磨

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 365-368.

SiC单晶片的取向研磨

赵树峰;陈治明;潘盼;王欢欢

西安理工大学电子工程系,西安,710048

出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20

Oriented Lapping of SiC Wafers

ZHAO Shu-feng;CHEN Zhi-ming;PAN Pan;WANG Huan-huan

Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 优质晶体生长常常需要籽晶或衬底偏离常规结晶取向.为便于按任意偏向角度研磨晶片,本实验室设计并应用了晶片取向研磨夹具及相应的研磨工艺.本文介绍了该夹具和工艺的工作原理、技术要点以及对技术指标的鉴定情况.测试结果表明,研磨取向误差范围可控制在5;之内,研磨片厚度偏差小于5 μm、粗糙度Ra=0.12 μm.

中图分类号:

O786

赵树峰;陈治明;潘盼;王欢欢. SiC单晶片的取向研磨[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 365-368.

ZHAO Shu-feng;CHEN Zhi-ming;PAN Pan;WANG Huan-huan. Oriented Lapping of SiC Wafers[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2010, 39(2): 365-368.

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