一步法制备BN/Si复合团簇结构

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 459-464.

一步法制备BN/Si复合团簇结构

任书霞;籍凤秋;王建雷;张光磊

石家庄铁道学院材料科学与工程分院,石家庄,050043

出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河北省教育厅资助项目(2009155);河北省自然科学基金(E2009000901)

Synthesis of Composite Clusters of BN/Si by One Step Route

REN Shu-xia;JI Feng-qiu;WANG Jian-lei;ZHANG Guang-lei

Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以球磨的B/BN混合物为原料,采用一步法在蘸有催化剂的硅片上合成了大量BN纳米刺包裹在Si纳米或微米线上的复合团簇结构.EDS和SAED表明外层的纳米刺是六方BN多晶,里面包裹的Si纳米或微米线则是立方的Si单晶.实验结果表明合成温度对BN/Si复合结构形成有重要影响,只有在1250 ℃以上的温度才会生成BN /Si复合团簇结构,另外只有当硅片与样品接触时才会形成复合产物.PL光谱显示复合产物在360 nm的激发下,其发光峰在303 nm(4.1 eV)和423 nm(2.93 eV)处.

中图分类号:

O484

任书霞;籍凤秋;王建雷;张光磊. 一步法制备BN/Si复合团簇结构[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 459-464.

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