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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (3): 741-746.
封先锋;陈治明;蒲红斌
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RSS出版日期:2010-06-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:FENG Xian-feng;CHEN Zhi-ming;PU Hong-bin
Online:2010-06-15
Published:2021-01-20
摘要： 实验中研究了不同结构参数的测温盲孔对晶体生长面热场的影响,结果分析表明:径向温度梯度和轴向温度梯度与测温盲孔的深度和半径近似成正比关系,但测温盲孔尺寸变化对径向温度梯度和轴向温度梯度的影响效果不同;改变测温盲孔尺寸适于调节径向温度梯度;测温盲孔半径和深度的增加均可导致坩埚盖上SiC多晶生长速率提高.
中图分类号:
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FENG Xian-feng;CHEN Zhi-ming;PU Hong-bin. Influence of Pyrometric Blind Hole on the Thermal Field of SiC Crystal Growth System by PVT Method[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2010, 39(3): 741-746.
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