6H-SiC单晶锭边缘的多晶环控制

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (5): 1124-1129.

6H-SiC单晶锭边缘的多晶环控制

封先锋;陈治明;蒲红斌

西安理工大学电子工程系,西安,710048

出版日期:2010-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
陕西省重大科技创新项目(2004K072G9);陕西省教育厅科学研究计划项目(08JK375)

Limitation in the Thickness of Poly-SiC Ring along the Edge of 6H-SiC Single Crystal Ingot

FENG Xian-feng;CHEN Zhi-ming;PU Hong-bin

Online:2010-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 6H-SiC晶体生长过程中单晶锭边缘形成的多晶环影响单晶体的品质.本研究制定了以改进坩埚系统结构为主、调整线圈与坩埚相对位置为辅的多晶环厚度控制方案,利用自制设备进行了6H-SiC晶体生长验证实验,实验结果显示所生长6H-SiC单晶体不但周边和表面光滑,未有多晶出现,还实现了显著的扩径生长.

中图分类号:

O782.7

封先锋;陈治明;蒲红斌. 6H-SiC单晶锭边缘的多晶环控制[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(5): 1124-1129.

FENG Xian-feng;CHEN Zhi-ming;PU Hong-bin. Limitation in the Thickness of Poly-SiC Ring along the Edge of 6H-SiC Single Crystal Ingot[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(5): 1124-1129.

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6H-SiC单晶锭边缘的多晶环控制

Limitation in the Thickness of Poly-SiC Ring along the Edge of 6H-SiC Single Crystal Ingot

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