热处理蓝宝石基片对Tl-2212超导薄膜的影响

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (5): 1156-1160.

热处理蓝宝石基片对Tl-2212超导薄膜的影响

谢清连;阎少林;黄国华;张玉婷;赵新杰;方兰

南开大学信息技术科学学院,天津,300071;广西师范学院物理与电子工程学院,南宁,530001;南开大学信息技术科学学院,天津,300071;广西师范学院物理与电子工程学院,南宁,530001

出版日期:2010-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973)项目(2006CB601006);国家高技术研究发展计划(863)新材料领域项目(2006AA03Z213);广西教育厅科研项目(200911MS148);广西高校优秀人才资助计划项目(RC2007024)

Effects of Heat Treatment of R-cut Sapphire Substrate on Tl-2212 Superconducting Films

XIE Qing-lian;YAN Shao-lin;HUANG Guo-hua;ZHANG Yu-ting;ZHAO Xin-jie;FANG Lan

Online:2010-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文研究了蓝宝石基片的热处理对Tl-2212薄膜的结晶质量、表面形貌及其超导特性的影响.SEM和XRD研究表明,在经过最佳条件(1000 ℃×20 h)退火后的基片上,可以制作出具有致密的晶体结构、高度c轴取向的外延Tl-2212超导薄膜,其薄膜具有优良的电学性能.

中图分类号:

O484.1

谢清连;阎少林;黄国华;张玉婷;赵新杰;方兰. 热处理蓝宝石基片对Tl-2212超导薄膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(5): 1156-1160.

XIE Qing-lian;YAN Shao-lin;HUANG Guo-hua;ZHANG Yu-ting;ZHAO Xin-jie;FANG Lan. Effects of Heat Treatment of R-cut Sapphire Substrate on Tl-2212 Superconducting Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(5): 1156-1160.

[1]	南博洋, 洪瑞金, 陶春先, 王琦, 林辉, 韩朝霞, 张大伟. 基于金属锡掺杂浓度变化的光学性能可调谐ITO薄膜制备研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1617-1623.
[2]	陈根强, 赵浠翔, 于众成, 李政, 魏强, 林芳, 王宏兴. 异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 931-944.
[3]	宋长坤, 黄晓莹, 陈英鑫, 喻颖, 余思远. 半导体单量子点的分子束外延生长及调控[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 982-996.
[4]	李秉欣, 丁元丰, 芦红. 单晶α-Sn薄膜的外延生长及输运性质研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1025-1035.
[5]	林泽丰, 孙伟轩, 刘天想, 涂思佳, 倪壮, 柏欣博, 赵展艺, 张济全, 陈赋聪, 胡卫, 冯中沛, 袁洁, 金魁. 脉冲激光沉积技术制备超导薄膜的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1036-1051.
[6]	杨学林, 沈波. Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 723-731.
[7]	梁潇, 李思琦, 王中伟, 邵鹏飞, 陈松林, 陶涛, 谢自力, 刘斌, 陈敦军, 郑有炓, 张荣, 王科. 分子束外延高Al组分AlGaN薄膜及Si掺杂研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 783-790.
[8]	殷鑫燕, 陈鹏, 梁子彤, 赵红. MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 791-797.
[9]	韩钰, 牛群, 周琴, 赵爱迪. 单层α-MoO₃半导体薄膜的范德瓦耳斯外延制备[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 886-893.
[10]	徐建喜, 王钰宁, 徐俞, 王建峰, 徐科. 石墨烯上异质远程外延GaN的研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 894-900.
[11]	韩跃斌, 蒲勇, 施建新, 闫鸿磊. 高速旋转垂直热壁CVD外延生长n型4H-SiC膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 918-924.
[12]	沈波;杨学林;许福军. 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1953-1969.
[13]	王珣;汪莱;郝智彪;罗毅;孙长征;韩彦军;熊兵;王健;李洪涛. GaN基三维结构生长与器件应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1984-1995.
[14]	杨启鸣;杨雯;段良飞;姚朝辉;杨培志. 单晶硅外延生长晶化硅薄膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(12): 2337-2342.
[15]	李琦;蒋志;杨剑;杨敏;陆熠磊;刘思佳;徐信;王书荣. 硫化温度-时间曲线对铜锌锡硫薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(9): 1720-1727.