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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (6): 1412-1416.

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靶与衬底之间的距离对ZnO:Zr透明导电薄膜性能的影响

张化福;陈钦生;刘汉法   

  1. 山东理工大学理学院,淄博,255049
  • 出版日期:2010-12-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    山东省自然科学基金(ZR2009GQ011)

Effect of Target-to-substrate Distance on the Properties of Zirconium-doped Zinc Oxide Transparent Conductive Films

ZHANG Hua-fu;CHEN Qin-sheng;LIU Han-fa   

  • Online:2010-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO: Zr)透明导电薄膜.并系统地研究了靶与衬底之间的距离对ZnO: Zr薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响.实验结果表明,靶与衬底之间的距离对ZnO: Zr薄膜的生长速率、结晶质量及电学性能有很大影响,而对其光学性能影响不大.实验制备的ZnO: Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向.当靶与衬底之间的距离从60 mm减小到50 mm时,薄膜的晶化程度提高、晶粒尺寸增大,薄膜的电阻率减小;然而,当距离继续减小时,薄膜的晶化程度降低、晶粒尺寸减小,薄膜的电阻率增大.当靶与衬底之间的距离为50 mm时,薄膜的电阻率达到最小值4.2×10-4 Ω·cm,其可见光透过率超过95;.实验制备的ZnO: Zr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.

关键词: 靶与衬底之间的距离;ZnO:Zr;透明导电薄膜;磁控溅射

中图分类号: