Ce:KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (6): 1509-1513.

Ce:KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响

郭庆林;李彦;李盼来;邓桂英;怀素芳;李旭

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出版日期:2010-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河北省自然科学基金(F2009000222)

Influence of Writing Beam Position on the Two-wave Coupling Gain in Ce:KNSBN Crystal

GUO Qing-lin;LI Yan;LI Pan-lai;DENG Gui-ying;HUAI Su-fang;LI Xu

Online:2010-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用非同时读出条件下两波耦合实验装置,以532 nm的单频固体激光器为光源,在不同写入光夹角θ、抽运光的偏振方向与e偏振光的方向呈10°、信号光为e偏振光及不同信号光与抽运光光强比条件下,通过改变写入光在Ce: KNSBN晶体内的不同位置研究其对两波耦合有效增益的影响.研究结果表明,在相同角度下写入光强比为1: 10,写入光在晶体内位置d=0.1 cm时最佳,有效增益达到最大.在最佳写入光位置,写入光强比为1: 10时,在写入光夹角为24°时两波耦合有效增益为最大.并对实验结果进行了理论拟合与分析.

中图分类号:

O438

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