
人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (2): 430-434.
夏齐萍;汪小小;吕建国;宋学萍;孙兆奇
出版日期:2011-04-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:XIA Qi-ping;WANG Xiao-xiao;LV Jian-guo;SONG Xue-ping;SUN Zhao-qi
Online:2011-04-15
Published:2021-01-20
摘要: 采用射频反应磁控溅射技术在石英和Si衬底上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,样品的氧氩流量比分别为10:40,20:40,30:40,40:40.利用X射线衍射仪、表面轮廓仪、原子力显微镜和紫外-可见分光光度计研究了样品的微结构与光学特性.研究表明:氧氩流量比为30:40的样品结晶质量最好.所制备的ZnO薄膜的可见光平均透射率均大于87;.随着氧氩流量比的增大,薄膜的透射率呈非单调变化,氧氩流量比为30:40的样品在可见光范围的平均透射率可达93;.光学带隙随着氧氩流量比的增大,先增大后减小.与块材ZnO的带隙(3.37 eV)相比,ZnO薄膜的带隙均变窄.
中图分类号:
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