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人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (2): 505-509.

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TiO2掺杂ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3系低压压敏陶瓷的微结构和电性能研究

巨锦华;王华;许积文;任明放;杨玲;袁昌来   

  1. 桂林电子科技大学材料科学与工程学院,桂林,541004
  • 出版日期:2011-04-15 发布日期:2021-01-20

Microstructures and Electrical Properties of TiO2-doped ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3 Based Low-voltage Varistor Ceramics

JU Jin-hua;WANG Hua;XU Ji-wen;REN Ming-fang;YANG Ling;YUAN Chang-lai   

  • Online:2011-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用固相反应法制备了TiO2掺杂的ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3系低压压敏陶瓷.采用X射线衍射、扫描电镜、压敏电阻直流参数仪、阻抗分析仪等研究了掺杂量对陶瓷的微结构、压敏性能和阻抗等影响.结果表明:掺杂1.0mol;TiO2时综合电性能最好,压敏电压梯度为21.6 V/ mm,漏电流密度为0.02 μA/ mm2,非线性系数为33;掺杂最大于1.0 mol;时,压敏电压梯度降低的同时也使非线性系数降低,漏电流密度增大;Cole-Cole形式的复阻抗谱图表明掺杂1.0 mol;TiO2的晶界电阻最大,晶界电阻对ZnO-Bi2O3-Co2O3-MnCO3-TiO2系低压压敏陶瓷电阻的贡献最为明显.

关键词: ZnO-Bi2O3-CO2O3-MnCO3压敏陶瓷;微结构;电性能

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