SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (4): 843-847.

SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响

任世荣;陈新亮;张存善;孙建;张晓丹;耿新华;赵颖

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071;河北工业大学信息工程学院,天津300130;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071;河北工业大学信息工程学院,天津,300130

出版日期:2011-08-15 发布日期:2021-01-20

Effects of SiO2 Buffer Layer on the Properties of High Mobility IWO Thin Films Grown by Electron Beam Deposition

REN Shi-rong;CHEN Xin-liang;ZHANG Cun-shan;SUN Jian;ZHANG Xiao-dan;GENG Xin-hua;ZHAO Ying

Online:2011-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO( In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究.SiO2缓冲层在室温生长.SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜.实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm2·V-1·s-1,电阻率p ～5.86×10-4Ω,cm,电子载流子浓度n～ 1.95×1020 cm-3,400～1600nm砌光谱区域内的平均透过率～76;.

中图分类号:

O484

任世荣;陈新亮;张存善;孙建;张晓丹;耿新华;赵颖. SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(4): 843-847.

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