沉积温度对磁控溅射BiFeO3薄膜结构和性能的影响

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (4): 921-925.

沉积温度对磁控溅射BiFeO3薄膜结构和性能的影响

赵庆勋;张婷;马继奎;魏大勇;王宽冒;刘保亭

河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,保定071002

出版日期:2011-08-15 发布日期:2021-01-20

Effect of Deposition Temperature on the Structural and Physical Properties of BiFeO3 Films Prepared by Magnetron Sputtering

ZHAO Qing-xun;ZHANG Ting;MA Ji-kui;WEI Da-yong;WANG Kuan-mao;LIU Bao-ting

Online:2011-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 应用磁控溅射法在以SrRuO3 (SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3 (BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器.采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响.X射线衍射图谱显示BFO薄膜为多晶结构.在2.5 kHz测试频率下,500℃生长的BFO薄膜呈现比较饱和的电滞回线,2Pr为145μC/cm2,矫顽场Ec为158 kV/cm,漏电流密度约为2.4×104 A/cm2.漏电机制研究表明,在低电场区,SRO/BFO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在高电场区,满足普尔-弗兰克导电机理.实验发现:SRO/BFO/SRO电容器经过109翻转后仍具有良好的抗疲劳特性.

中图分类号:

O484

赵庆勋;张婷;马继奎;魏大勇;王宽冒;刘保亭. 沉积温度对磁控溅射BiFeO3薄膜结构和性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(4): 921-925.

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