一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (4): 1065-1070.

一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟

于海群;左然;陈景升

江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013

出版日期:2011-08-15 发布日期:2021-01-20

Design and Simulation of a Multi-showerheads MOCVD Reactor

YU Hai-qun;ZUO Ran;CHEN Jing-sheng

Online:2011-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 提出了一种多喷淋头式MOCVD反应器.针对新型反应器,对GaN生长的MOCVD过程进行了数值模拟,模拟考虑了热辐射和化学反应,计算了反应器内流场、温场和浓度场,导流(筒)壁面的寄生沉积以及GaN生长速率,并分析了反应室几何因素对生长均匀性的影响.模拟结果显示,衬底表面大部分区域具有均匀的温场和良好的滞止流.通过对浓度场和GaN生长速率的分析,得出MMGa是薄膜生长的主要反应前体.通过对反应器高度H、导流筒与托盘间距h、导流筒半径R等参数的优化,给出了提高薄膜生长速率和均匀性的条件.

中图分类号:

O484

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